北京大学，刘忠范，彭海琳

化学气相沉积（CVD）可以大规模生长高质量的石墨烯薄膜，并在石墨烯的工业生产中显示出可观的潜力。但是，CVD生长的石墨烯薄膜含有表面污染物，这将阻碍其潜在的应用，例如，在电气和光电设备以及基于石墨烯膜的应用中。为了解决这个问题，我们展示了一种改良的气相反应，利用含金属的分子醋酸铜（II），铜(OAc)2作为碳源，实现了无污染石墨烯膜即超净石墨烯的大规模生长。在高温CVD期间，含Cu的碳源显著增加了…