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在绝缘基底上制备大面积石墨烯

在绝缘基底上制备大面积石墨烯

浦项科技大学的Hee Cheul Choi教授课题组通过低压CVD实现了在绝缘基底(石英)上单层石墨烯的高质量制备。他们将铜箔与牺牲层SiO2/Si进行直接的物理接触,目标石英基底则放置在铜箔的上方,最终形成石英/铜箔/SiO2/Si“三明治”夹层结构。直接物理接触的铜箔和牺牲层在高温下会产生大量铜蒸气,并且被捕获在石英和牺牲层之间,以催化石墨烯在绝缘基底上的直接生长。该法生长的石墨烯具有与常规铜箔CVD法所制备晶体相当的质量。

该项工作通过构筑石英/铜箔/SiO2/Si的夹层结构实现在绝缘基底上高质量石墨烯的直接制备,无需复杂的转移过程。此项工作拓宽了石墨烯的应用,也开发了使用气相催化剂直接制备纳米材料的生长方法,由此成功发表在了Angew. Chem. Int. Ed.上。

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